БЕЗИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ РАСПАД ПРЯМОГО ЭКСИТОНА В НЕПРЯМОЗОННОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ.

Тютерев В.Г., Обухов С.В.

Информация об авторе:

Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости.

Ключевые слова: полупроводники, экситон, электрон-фононное взаимодействие, метод функционала плотности.

Библиография:

1. Goсi A. R., Cantarero A., Syassen K., Cardona M. // Phys. Rev. B. V. 41, 10111 (1990).

2. Zollner S., Kircher J., Cardona M., Gopalan S. // Solid-State Electron. V. 32, 1585 (1989).

3. Li G. H., Goni A. R., Syassen K., Cardona M. // Phys.Rev. B. V. 49, 8017 (1994).

4. Knox R. S. Theory of excitons. N.Y., L., Academic Press, 1963.

5. Sjakste J., Vast N., Tyuterev V. // Phys. Rev. Lett. V. 99, 236405 (2007).

6. Sjakste J., Tyuterev V., Vast N. // Phys. Rev. B. V. 74, 235216 (2006).

7. Baroni S., Gironcoli S. de, Corso A. D., Giannozzi P. // Rev. Mod. Phys. V. 73, 515 (2001).

8. Sell D. D., Lawaetz P. // Phys. Rev. Lett. 26, 311 (1971).

9. Y oung J., Gong T., Faucher P., Kelly P. // Phys.Rev. B. V. 50, 2208 (1994).

10. Shah J., Deveaud B., Damen T. C. et al. // Phys. Rev. Lett. V. 59, 2222 (1987).

11. Tyuterev V., Obukhov S. V., Vast N., Sjakste J. // Phys. Rev. B. V. 84, 035201 (2011).

12. Tyuterev V. G. // Tomsk State Pedagogical University Bulletin. 2006. Issue 6. P. 7–11.

13. Manca P., Mula G., Kuz’menko A. B. et al. // Tomsk State Pedagogical University Bulletin. 2002. Issue 2(30). P. 3–10.

( 547.32 kB ) ( 510.55 kB )

Выпуск: 8, 2011

Серия выпуска: Выпуск № 8

Рубрика: Physics

Страницы: 49 — 52

Скачиваний: 1519