Вестник Томского государственного педагогического университета
RU EN






Сегодня: 01.01.2026
Главная Выпуски журнала 2012 Год Выпуск №7 МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ НА ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И ИНТЕРФЕЙСНЫХ ФОНОНАХ В СВЕРХРЕШЕТКАХ (GAAS)M(ALAS)N(001)
  • Главная
  • Текущий выпуск
  • Выпуски журнала
    • 2025 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2024 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2023 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2022 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2021 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2020 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2019 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
    • 2018 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
    • 2017 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2016 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2015 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2014 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2013 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
      • Выпуск №13
    • 2012 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
      • Выпуск №13
    • 2011 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
      • Выпуск №13
    • 2010 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2009 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2008 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
    • 2007 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
    • 2006 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2005 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
    • 2004 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
    • 2003 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
    • 2002 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
    • 2001 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
    • 2000 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
    • 1999 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
    • 1998 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 1997 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
  • Поиск
  • Рейтинг
  • Новости
  • Редакционная коллегия
  • Правила для авторов
  • Порядок рецензирования
  • Читателям
  • Публикационная Этика Издания
  • Контактная информация
  • Разместить статью
  • Поступившие статьи
  • Принятые в печать
  • Оформить подписку
  • Служебный вход
vestnik.tspu.ru
praxema.tspu.ru
ling.tspu.ru
npo.tspu.ru
edujournal.tspu.ru

Вестник ТГПУ — это рецензируемый научный журнал открытого доступа.

E-LIBRARY (РИНЦ)
Ulrich's Periodicals Directory
Google Scholar
European reference index for the humanities and the social sciences (erih plus)
Поиск по автору
- Не выбрано -
  • - Не выбрано -
Яндекс.Метрика

МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ НА ЛОКАЛИЗОВАННЫХ И ИНТЕРФЕЙСНЫХ ФОНОНАХ В СВЕРХРЕШЕТКАХ (GAAS)M(ALAS)N(001)

Гриняев С.Н., Никитина Л.Н., Новикова О.Л., Тютерев В.Г.

Информация об авторе:

На основе метода псевдопотенциала и феноменологической модели связи исследованы междолинные переходы в зоне проводимости сверхрешеток (GaAs)m(AlAs)n(001), вызванные интерфейсными и запертыми в слоях оптическими колебаниями атомов. Проведен анализ эффектов размерного квантования в электронных и фононных состояниях, определена зависимость деформационных потенциалов от состава и толщины слоев сверхрешеток. Показано, что междолинное Г-М рассеяние наиболее интенсивно, когда волновые функции электронов и вектора поляризации фононов локализованы в одних и тех же слоях сверхрешетки. Интерфейсные колебания возникают в сверхрешетках с достаточно толстыми слоями и вызывают относительно слабые по интенсивности Г-Ј переходы электронов из центральной долины в верхние зоны проводимости.

Ключевые слова: полупроводниковые сверхрешетки, электрон-фононное взаимодействие, междолинное рассеяние, размерное квантовапние

Библиография:

1. Gao X., Botez D., Knezevic I. // Appl. Phys. Lett. 89, 19191119 (2006).

2. Tavish J., Ikonic Z., Indjin D., Harrison P. // Acta Physica Polonica (A) 113, 891 (2008).

3. Nikitina L. N., Grinyaev S. N., Tyuterev V. G. // Phys. Solid State 48, 129 (2006).

4. Grinyaev S. N., Karavaev G. F., Tyuterev V. G. // Physica. B 228, 319 (1996).

5. Mader K. A., Zunger A. // Phys. Rev. B 40, 10391 (1989).

6. Baroni Stefano, Gironcoli Stefano de, and Dal Corso Andrea // Rev. Mod. Phys. 73, 515(2001).

7. Bruneval F., Vast N., and Reining L. // Phys. Rev. B 74, 045102 (2006).

8. Tsuchiya T., Akera H., Ando T. // Phys. Rev. B 39, 6025 (1988).

9. Colvard C., Gant T. A., Klein M. V., Merlin R., Fischer R. et al. // Phys. Rev. B 31, 2080 (1985).

10. Тютерев В. Г., Обухов С. В. Безизлучательный распад прямого экситона в непрямозонном полупроводнике // Вестн. Томского гос. пед. ун-та (Tomsk State Pedagogical University Bulletin). 2011. Вып. 8 (110). С. 49–52.

grinyaev_s._n._62_69_7_122_2012.pdf ( 1.07 MB ) grinyaev_s._n._62_69_7_122_2012.zip ( 964.08 kB )

Выпуск: 7, 2012

Серия выпуска: Выпуск № 7

Рубрика: ФИЗИКА

Страницы: 62 — 69

Скачиваний: 1409

Для цитирования:


2026 Вестник Томского государственного педагогического университета

Разработка и поддержка: Лаборатория сетевых проектов ТГПУ