Вестник Томского государственного педагогического университета
RU EN






Сегодня: 19.02.2026
Главная Выпуски журнала 2019/ Год Выпуск №9 МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ТЕРМИНОСИСТЕМЫ СФЕРЫ «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»
  • Главная
  • Текущий выпуск
  • Выпуски журнала
    • 2026 Год
      • Выпуск №1
    • 2025 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2024 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2023 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2022 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2021 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2020 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 2019 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
    • 2018 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
    • 2017 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2016 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2015 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2014 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2013 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
      • Выпуск №13
    • 2012 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
      • Выпуск №13
    • 2011 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
      • Выпуск №13
    • 2010 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2009 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2008 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
    • 2007 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
    • 2006 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
      • Выпуск №10
      • Выпуск №11
      • Выпуск №12
    • 2005 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
    • 2004 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
    • 2003 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
    • 2002 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
    • 2001 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
    • 2000 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
      • Выпуск №8
      • Выпуск №9
    • 1999 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
      • Выпуск №7
    • 1998 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
      • Выпуск №4
      • Выпуск №5
      • Выпуск №6
    • 1997 Год
      • Выпуск №1
      • Выпуск №2
      • Выпуск №3
  • Поиск
  • Рейтинг
  • Новости
  • Редакционная коллегия
  • Правила для авторов
  • Порядок рецензирования
  • Читателям
  • Публикационная Этика Издания
  • Контактная информация
  • Разместить статью
  • Поступившие статьи
  • Принятые в печать
  • Оформить подписку
  • Служебный вход
vestnik.tspu.ru
praxema.tspu.ru
ling.tspu.ru
npo.tspu.ru
edujournal.tspu.ru

Вестник ТГПУ — это рецензируемый научный журнал открытого доступа.

E-LIBRARY (РИНЦ)
Ulrich's Periodicals Directory
Google Scholar
European reference index for the humanities and the social sciences (erih plus)
Поиск по автору
- Не выбрано -
  • - Не выбрано -
Яндекс.Метрика

МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ТЕРМИНОСИСТЕМЫ СФЕРЫ «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА»

Слепнева М.А.

DOI: 10.23951/1609-624X-2019-9-16-22

Информация об авторе:

Слепнева Марина Анатольевна, доцент, кандидат технических наук, Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт» (ул. Красноказарменная, 14, Москва, Россия, 111250). E-mail: slepnevama@mpei.ru

Введение. Перевод научно-технической литературы всегда сопряжен с трудностями, связанными со спецификой грамматического строя и терминологическими особенностями. Технический перевод необходимо осуществлять максимально точно, стараясь наилучшим образом передать смысловую нагрузку первоисточника. Материал и методы. Каждая область науки характеризуется своей терминосистемой, и микроэлектроника, будучи одной из наиболее быстро развивающихся отраслей, претерпевает постоянное обновление терминологии. Динамика общемирового развития данной отрасли оказывает существенное влияние на образование терминов в микроэлектронике, которые характеризуются существенным процентным содержанием международных слов. Зарождение и утверждение новых терминов происходит очень динамично по сравнению со словообразованием в общей лексике. Суть термина, входящего в специальную лексику, определяется исключительно его содержанием и понятна узкому кругу специалистов. Общепринято подразделять термины на технические и общенаучные. В некоторых источниках из общенаучных слов дополнительно отделяют общеупотребительные слова. Будучи используемыми в конкретной области, общенаучные термины часто приобретают специфичное именно для этого раздела науки значение. Результаты исследования. Рассмотрение некоторых широко распространенных примеров терминов в области микроэлектроники позволяет сделать вывод об их различных значениях в зависимости от контекста, который нужно учитывать, так как многозначность термина может стать препятствием к верному переводу. Кроме того, контекст поможет понять, было ли слово использовано в обычном или специальном техническом значении, каково конкретное значение многозначного термина, а в случае многокомпонентности контекст при переводе помогает опустить неинформативные составляющие. Отмечается явление интерференции терминов из смежных областей в микроэлектронику, что связано с темпами развития отрасли, за которыми часто не успевают языковые средства. Отдельное внимание уделяется использованию метафор в качестве терминов, и отмечается образность английских терминов в целом по сравнению с русскими, характеризующимися точностью и лаконизмом. Корректный перевод термина определяется его морфологическим строением, семантическими особенностями, типами терминов-словосочетаний, их структурной особенностью и спецификой использования. С морфологической точки зрения наиболее распространенными на данный момент являются многокомпонентные термины-словосочетания. В зависимости от состава терминов-словосочетаний они подразделяются на три типа. Для каждого из типов словосочетаний приводятся конкретные примеры. Заключение. Рассмотрение основных вопросов терминообразования области микроэлектроники показало, что состав терминологии научного текста характеризуется преобладанием общеупотребительных слов. Изначально имея несколько значений, при использовании в контексте они приобретают специфическое значение для конкретной области. При рассмотрении морфологических особенностей отмечается превосходство терминов-словосочетаний, в которых, со структурной точки зрения, в качестве атрибутивных элементов преобладают существительные и прилагательные.

Ключевые слова: научно-технический стиль, терминосистема, термин, словосочетания, морфологические особенности

Библиография:

1. Суперанская А. В., Подольская Н. В., Васильева Н. В. Общая терминология: вопросы теории: 6-е изд. / отв. ред. Т. Л. Канделаки. М.: Либроком, 2012. 248 с.

2. Борисова Л. И. Лексические особенности англо-русского научно-технического перевода. Теория и практика перевода: учеб. пос. М.: НВИ-Тезаурус, 2005. 216 с.

3. Cabré Castellví, M. Teresa. Terminology: Theory, methods and applications. Amsterdam; Philadelphia: John Benjamins, 1999. 249 p.

4. Городиский М. В. Представление терминологической эквивалентности в дескриптивном терминографировании (опыт составления русско-английского глоссария «образовательная деятельность и управление образованием СПбГУ») // Вестник СПбГУ. Сер. 9. 2013. Вып. 4. С. 39–44.

5. Пронина Р. Ф. Пособие по переводу английской научно-технической литературы: 2-е изд. М.: Высшая школа, 1973. 196 с.

6. Патент US 7,671,455 В2 «Semiconductor device package with integrated heat spreader», Mark Pavier, 02.03.2010.

7. Патент US 10,304,758 В1 «Wafer level package device formed using а wafer level lead frame on а carrier wafer having а similar coeffi cient of thermal expansion as an active wafer», Karthik Thamhidurai and oths., 28.05.2019.

8. Roendeau G. Introduction à a terminologie. Québec, 2nd ed. 1984. 238 p.

9. Большой современный толковый словарь русского языка. URL: https://slovar.cc/rus/tolk.html.

10. Канделаки Т. Л. Семантика и мотивированность терминов. М.: Наука, 1977. 165 с.

11. Felber H. Terminology Manual. Paris: Unesco and Infoterm, 1984. 457 p.

12. Bessé, Bruno de, Blaise Nkwenti-Azeh, Sager J. C. Glossary of Terms Used in Terminology // Terminology. 1997. Vol. 4, № 1. Р. 117–156.

13. Sager J. C. A Practical Course in Terminology Processing. Amsterdam: John Benjamins. 1990. 254 p.

14. Лейчик В. М. Терминоведение: предмет, методы, структура: 4-е изд. М.: Либроком, 2009. 256 с.

15. Гринев-Гриневич С. В. Терминоведение: учеб. пособие для студентов высш. учеб. заведений. М.: Академия, 2008. 304 с.

16. Головин Б. Н., Кобрин Р. Ю. Лингвистические основы учения о терминах: учеб. пособие для филол. спец. вузов. М.: Высш. шк., 1987. 104 с.

17. Шамсеева Г. Х. Морфологический способ образования терминов права в английском языке // Вестн. Башкирского ун-та. 2009. Т. 14, № 2. С. 411–413.

18. Handbook of Terminology / Edited by Hendrik J. Kockaert and Frieda Steurs. Amsterdam; Philadelphia: John Benjamins Publishing, 2015. 539 p.

slepneva_m._a._16_22_9_206_2019.pdf ( 454.15 kB ) slepneva_m._a._16_22_9_206_2019.zip ( 447.77 kB )

Выпуск: 9, 2019

Серия выпуска: Выпуск № 9

Рубрика: ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕРМАНСКИХ ЯЗЫКОВ

Страницы: 16 — 22

Скачиваний: 1300

Для цитирования:


2026 Вестник Томского государственного педагогического университета

Разработка и поддержка: Лаборатория сетевых проектов ТГПУ